Structure de couches barriere comportant deux couches et procede de fabrication


<P>Un procédé de formation d'une structure de couches barrière sur un substrat semiconducteur (30) sur lequel se trouve une couche conductrice (31), comprend la formation d'une couche diélectrique (32) sur la couche conductrice et le substrat puis la formation d'une ouverture (33) dans la couche diélectrique, pour mettre à nu la couche conductrice; la formation d'une première couche barrière (34), contenant du silicium, sur les côtés de l'ouverture et sur la région environnante; et la formation d'une seconde couche barrière (35) sur la première couche barrière.</P>




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    Patent Citations (4)

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